Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
GaInAs was grown by atmospheric-pressure MOVPE using tertiarybutylarsine in place of arsine. Its carbon content was low and its carrier density and mobility were 2*10/sup 15/ cm/sup -3/ and 50500 cm/sup 2//Vs at 77 K, respectively, comparable with arsine-grown GaInAs. The composition of the GaInAs was, however, sensitive to growth temperature, pin diodes grown from tertiarybutylarsine were comparable...
Multiquantum well p-i-n photodiodes have been fabricated using InGaP/GaAs grown by gas-source MBE. The room temperature photocurrent spectrum of the diodes exhibits strong excitonic absorption at wavelengths near 860 nm, and a large change in the photocurrent is observed with applied bias.<<ETX>>
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.