Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The authors have modelled the properties of a multiple quantum well pin diode optical modulator with the natural semiconductor reflectivity (R approximately=0.3) at its front surface and a high reflector (R approximately=0.95), such as an integrated semiconductor quarter-wave stack, at the back. By using resonant electroabsorption, rather than electrorefraction, the calculations show that it is possible...
Reports results of the nonlinear refractive index in GaAs/AlGaAs pin diode multiple quantum well waveguides based on the quantum confined Stark shift of the exciton peaks due to a photon-induced change in the electric field. An increase in the nonlinearity can be obtained by connecting the waveguides to an external bias circuit with little or no speed penalty.<<ETX>>
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.