Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on the Langmuir-Blodgett film deposition and plasma etching of cadmium distearate on n-Gao.47Ino.53As to form a high-barrier-height Schottky barrier. Using this technique to form the gate electrode, we fabricated a 1?m-gate-length inverted InP-GalnAs modulation-doped field-effect transistor (MODFET) with an extrinsic transconductance of 170mS/mm and a cutoff frequencyfT of 19 GHz.
The heterojunction field effect transistor (HFET) is demonstrated for the first time in InAlAs/InGaAs/InAlGaAs/InP material system using molecular beam epitaxy (MBE). A tungsten gate selfaligned HFET structure was made by ion imitation and rapid thermal annealing. The 1.0 mu m self-aligned gate HFET exhibited room temperature transconductance of 490 mS/mm with cutoff frequency of 9 GHz.<<ETX>>
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.