Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Small-signal frequency characteristics indicating the effect of hole transit times were measured for `punch-through? p?v?p silicon diodes. The transit time was sufficiently long to allow measurements in a relatively low frequency range (0.5?18MHz), thus avoiding parasitic effects. Experimental results for several operating points in the square-law region of the d.c. characteristic agree very well...
A theoretical model for the ionisation coefficient of electrons in silicon has been developed based on the solution of the Boltzmann transport equation. Analytic expressions are obtained for the ionisation coefficient and the drift velocity. Modifications in the deformation potential constants have been suggested for obtaining a fit to the experimentally observed results for the drift velocity and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.