Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The high-power up to 4 W characteristic of a capacitive microwave power sensor with grounded MEMS beam is investigated. This device is fabricated by GaAs MMIC (microwave monolithic integrated circuit) technology. Experimental results indicate that the sensitivity of power sensor gradually degenerates with input power increasing continually. The measurement results are divided into three regions: pre-saturated,...
Ohmic contacts to an n-type GaN layer using an electron cyclotron resonance (ECR)-sputtered AlN (thickness of 3 nm)/Ti/Pt/Au electrode without an Al metal layer were investigated. Ohmic characteristics were achieved when annealed at a temperature of 400°C or more. Contact resistance reached a minimum (7.67 × 10−1 Ω-mm) at an annealing temperature of 500°C.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.