Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An equivalent oxide thickness of ~0.53 nm, gate leakage current density of $\sim 10^{-4}\text{A}$ /cm2 at V FB + 1 V, ION/ IOFF ratio of $10^{\text {4}}$ , subthreshold swing of 136 mV/dec, and peak hole mobility of 375 cm2/V-s at N $_{\text {inv}} = 1.6 \times 10^{12}$ cm−2 in Ge p-type metal–oxide–semiconductor-field-effect transistors (pMOSFETs) are achieved by HfO2/Hf-cap/GeOx gate stack with...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.