Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Bipolar resistive switching random access memory (RRAM) devices on a plastic substrate are investigated. Strontium titanate nickelate (STN) thin film prepared by sol-gel method served as insulator on an Al/STN/ITO/PET structure. The STN-based flexible RRAM shows a high ON/OFF resistance ratio (≥ 105) and a retention ability of over 105 s. The characteristics of Ni in the STO thin films demonstrate...
Electrical reliability of p-channel low-temperature polysilicon (LTPS) thin-film transistors (TFTs) fabricated from conventional or flexible display technology are compared under positive or negative gate bias stress (PBS/NBS). Conventional TFTs have better initial characteristic than flexible TFTs, and better stability under PBS, while flexible TFTs have better stability under NBS. Mechanical reliability...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.