Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, the improved recrystallization of ultra-thin amorphous silicon (α-Si) film was realized by two-dimensionally confined lattice regrowth with normal rapid thermal annealing process. By experimental investigation, the α-Si films with thickness of 400 Å were found to be recrystallized even at 850°C for only 35s rapid thermal annealing (RTA). With capped Si3N4 layer, the lattice regrowth...
In this paper, the impact of structure and material of hard mask wet trimming (HMWT) process on the formation of Si Fins and their LER/LWR is investigated experimentally. Combining a capping layer with slow wet etching rate can effectively improve HMWT controllability and suppress LER/LWR of Si Fins. Based on the optimized HMWT, ultranarrow Si Fins with 5nm width and 40x aspect ratio is successfully...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.