Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Gallium Nitride (GaN) HFETS are an enabling technology for high-density converter design. This paper proposes a three-level dc-dc converter with dual outputs based on enhancement-mode GaN devices, intended for use as a battery charger in aircraft applications. The charger can output either 28 V or 270 V, selected with a jumper, which meets the two most common dc bus voltages in airplanes. It operates...
The dual active bridge converter is examined as the DC/DC stage of a battery charger for the plug-in hybrid electric vehicle where both load voltage and load current have very wide operating range. The load current for sinusoidal charging scheme could swing down to zero. To optimize the battery charger under this charging scheme, a DAB loss model over wide load range is needed. Traditional DAB analysis...
In power transistor models, it is very important that device capacitances are modelled accurately so that switching losses, EMI filter requirements and gate timing requirements of the converter can be accurately determined. In this paper, a modelling technique utilizing modified sigmoid functions to describe the device capacitances is applied on a GaN HEMT and a silicon MOSFET to develop their corresponding...
Normally-on high-voltage (HV) power transistors are usually operated in a series connection with low-voltage (LV) MOSFETs to ensure safe operation. In the widely used cascode configuration (CC) the status of the combined switch is controlled via the MOSFET gate, whereas the alternative direct drive (DD) method controls the gate of the HV switch directly and utilizes the LV transistor as a safety switch...
Cascode structure is widely used for high voltage normally-on GaN devices. However, the capacitance mismatch between the high voltage GaN device and the low voltage normally-off Si MOSFET may induce several undesired features, such as Si MOSFET reaches avalanche during turn-off, and high voltage GaN device loses ZVS turn-on condition internally during soft-switching turn-on process in every switching...
In this paper, detailed static characterization of the new 650 V/ 30 A GaN device from GaN Systems is presented. The on-resistance and output capacitance of this device are considerably low making GaN a viable option for high switching frequency (in the range of MHz) medium power applications (> 3 kW). A comprehensive examination of device characteristics and variation of device parasitics depending...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.