Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work an ultrafast characterization technique has been developed with the aim of studying the NBTI degradation in pMOS transistors by acquiring the threshold voltage (Vth) shift in very short relaxation times after the electrical stress removal. The NBTI degradation has been studied as a function of the stress and relaxation time. The observed BTI relaxation has been explained in the framework...
MIS capacitors based on Dy2O3-doped ZrO2 oxide dielectrics were studied. The oxide films were grown by ALD. Defect concentrations at the oxide/semiconductor interface and inside the oxide depended on the film annealing that reduced the interface quality and increased defect densities inside the oxide. The leakage current density decreased at moderate voltages when the amount of dysprosium in the films...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.