Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The thermal impedance of Gallium Nitride based High Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) has been characterized using the “3ω method”. The method was initially proposed by D.G. Cahill to measure the thermal conductivity of bulk materials or layers. We already demonstrated in a previous work that under certain conditions the voltage oscillation at the third harmonic is the real image of the thermal...
Thermal assessment of AlGaN/GaN heterostructure on diamond substrate is presented. To emphasize the advantages of diamond substrate for GaN, results of test devices on GaN-on-Diamond material are compared to those on GaN-on-SiC and GaN-on-Si materials. Mesa resistors and High Electron Mobility Transistors (HEMTs) fabricated using a 0.25 µm gate length process are characterized. Infrared thermography...
In this paper, we present a coupled small-scale electro-thermal model for characterizing AlGaN/GaN HEMTs under direct current (DC) and alternating current (AC) power conditions for various duty cycles. The calculated electrostatic potential and internal heat generation data are then used in a large-scale mechanics model to determine the development of stress due to the inverse piezoelectric and thermal...
Although wide bandgap solid state devices are one of the most promising technologies for high power, high frequency applications, high device temperatures often lead to degraded performance and reliability. Thus, accurately predicting and maintaining device temperature at an acceptable level is a key to realizing the full potential of wide bandgap electronics. In this work, we present a closed-form...
The emergence of Gallium Nitride-based High Electron Mobility Transistor (HEMT) technology has proven to be a significant enabler of next generation RF systems. However, thermal considerations currently prevent exploitation of the full electromagnetic potential of GaN in most applications, limiting HEMT areal power density (W/mm2) to a small fraction of electrically limited performance. GaN on Diamond...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.