Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work presents an experimental study of the low-frequency dispersion which impairs the performance of microwave active solid state devices. By exploiting low-frequency large-signal excitations (< 10 MHz), the dynamic behaviour of the drain-source current generator is highlighted as function of the operating bias condition and frequency. In order to assess the capability of the proposed investigation...
This paper reports on DC and RF performances of an In0.15Al0.85N/AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire substrate with a 75-nm-T-shaped-gate. A maximum DC current density of 1.27 A/mm and a peak extrinsic and intrinsic transconductances of 452 mS/mm and 680 mS/mm respectively are obtained. The device exhibits a current gain cutoff frequency (FT) and a power gain cutoff frequency...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.