Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
10th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling (LFNM 2010). 2nd IEEE International Workshop on THz Radiation: Basic Research and Applications (TERA 2010)
Using numerical modeling, influence of tuning the lasing frequency within the gain band on the modulation response of quantum-well heterolasers in the GaInAs-GaInAsP system versus the modulation frequency of pump current is investigated. It is established that maximum values of the frequency width of the response band and possibilities of realization of high-speed regimes at signal transmission in...
Modeling of the random lasing in diffusive regime by Monte-Carlo method and Kubelka-Munk theory has been carried out. It has been obtained the experiment-corresponded dependencies of radiation parameters on media characteristics. The optimal samples parameters for effective lasing have been found.
Asymmetric multiple quantum well active regions for optically-pumped semiconductor disk lasers (OPS-DLs) are designed employing wave function engineering within GaAs/AlGaAs material system, which provide simultaneously good electronic confinement, large gain and effective carrier transport. Experimental investigation has shown that such an approach gives record values of the conversion efficiency...
Temperature dependences of electron threshold current density in ZnSe-based laser heterostructures for the temperature range of 12-300 K and electron energies of 3.5-8.1 keV have been studied in detail. The minimum value of threshold current density of 0.2 A/cm2 has been measured at the electron energy E = 8 keV and temperature T = 50 K. The analysis of experimental and simulated data indicates on...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.