Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
10th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling (LFNM2010). 2nd International Workshop on Thz Radiation: Basic Research and Applications (TERA 2010)
Nonlinear dynamics of free-carriers in direct bandgap semiconductors at terahertz (THz) frequencies is studied using high power, few-cycle pulses. Techniques as Z-scan and THz-pump/THz-probe are employed to explore nonlinear interactions in both n-doped and photoexcited systems. The physical mechanism that gives rise to such interactions will be discussed in details.
Terahertz stimulated emission (4-6 THz) from optically excited group-V donors (phosphor P, antimony Sb, arsenic As, bismuth Bi) in axially compressed silicon crystal has been studied. As shown CW laser operation of P, Sb, As donors become reachable due to the laser threshold decrease induced by the stress.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.