Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a new approach to MOSFET modeling using a state-space technique. The model is based on discrete elements whose values are extracted from measurements, datasheet parameters and SPICE?? equations. The switching characteristics of the component are strongly determined by the gate-drain capacitance (CGD). With help of thorough impedance measurements, characterization of this capacitance...
An n-channel In0.65Ga0.35As LDMOS with Al2O3 as gate dielectric is proposed. Power device parameters such as specific on-resistance, gate charge, and breakdown voltage are examined using two-dimensional device simulation. Comparison between In0.65Ga0.35As Si devices is made. The InGaAs LDMOS shows a 92% improvement in Ron ?? Qg over its silicon counterpart.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.