Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We will discuss results of InGaN material and device growth by HVPE. Application of new device concepts for LEDs arising from new HVPE capabilities will be discussed, including all-HVPE InGaN based LEDs for SSL.
This work provides motivation and background for work on nonpolar and semipolar GaN-based materials and then highlight UCSB work on growth of nonpolar and semipolar GaN on foreign substrates and on freestanding GaN substrates. UCSB work on nonpolar and semipolar GaN lighting emitting devices, including record 405 nm LED performance, the first nonpolar and semipolar GaN-based laser diodes, the first...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.