Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Using terahertz magneto-photoconductive spectroscopy, we investigate impurity migration effects in barrier-doped GaAs/AlGaAs quantum wells. A new segregation decay rate for Si impurities in AlGaAs is determined for samples fabricated at low epitaxial growth temperature.
The magnetic field orientation dependence of the terahertz radiation intensity from GaAs/AlGaAs modulation-doped structures with varying spacer thickness was investigated. Results are analyzed in the context of junction electric field, carrier mobility, and interface roughness.
We demonstrate surface field generation of terahertz radiation from p-InMnAs. The influence of an applied magnetic field and the sample temperature on the generated terahertz field is examined.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.