Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We describe the operation of a femtosecond Cr4+:YAG laser that has been mode locked using a novel GaInNAsSb SESAM. 230 fs pulses were generated at an average output power of 280 mW.
We report multi-watt, TEM00 emission from a 2 mum Sb-based optically-pumped semiconductor disk laser utilising an intra-cavity diamond heat spreader for thermal management. An output power of 5 W and a wide tunability of over 160 nm are achieved.
Analysis of spectral condensation in a VECSEL with a near-antiresonant gain structure incorporating InGaAs/GaAsP quantum wells emitting around 1030 nm shows the effective FWHM gain bandwidth of this laser to be 32 nm.
We demonstrate the lasing characteristics of a photonic crystal heterostructure cavity. Feedback to slow Bloch modes using a heterostructure confinement design produces single mode lasing at 1551 nm.
An increase in the spectral width of microdisk laser spectra biased slightly above threshold is experimentally observed, and an increase in spontaneous emission rate in devices with small optical mode volume is demonstrated.
We report a 2 GHz mode locked vertical external cavity surface emitting laser using a hybrid metal-metamorphic Bragg mirror on the gain structure with a resonant two quantum wells GaInNAs semiconductor saturable absorber mirror (SESAM).
We present for the first time a high-power Ho:YAG laser in-band pumped by a (AlGaIn)(AsSb) laser diode stack with 1910 nm centre wavelength. Using a single 60 mm long Ho:YAG rod in a simple and compact plane-plane resonator geometry a maximum laser output power of 40 W and a slope efficiency of 57% with respect to the absorbed pump power were obtained. A beam quality of M2 < 4 was found.
Single-mode, continuous-wave, electrically-injected, GaSb based, 2.1 mum, equilateral-triangle-resonator lasers with a wavelength tuning range of 3.25 nm are demonstrated at 77 K.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.