Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Dilute bismide semiconductors are key materials for a wide range of applications. Indeed, the introduction of Bi in a GaAs-based matrix leads to a strong modification of the electronic band structure. This opens up the possibility of tuning GaAs-based alloys in a large energy range. We report here on the fabrication of GaAsBi quantum wells and investigate the carrier dynamics by means of time resolved photoluminescence. We show that good optical quality can be obtained at wavelengths close to the telecommunication windows, which confirms the high potential of dilute bismide alloys for optoelectronics.
Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-Objets, Institut National des Sciences Appliquées, UMR 5215 CNRS-INSA-UPS, Université de Toulouse, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse cedex 4, France
Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-Objets, Institut National des Sciences Appliquées, UMR 5215 CNRS-INSA-UPS, Université de Toulouse, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse cedex 4, France
Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-Objets, Institut National des Sciences Appliquées, UMR 5215 CNRS-INSA-UPS, Université de Toulouse, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse cedex 4, France