Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A new method to determine the width of depleted layers and the impurity profile in semiconductor materials is presented. The method employs the channel conductance of buried channel field effect devices (with junction, oxide or Schottky-barrier gate isolation) and can be performed with DC measurements only. A concise derivation of the expressions for the impurity concentration and the depletion layer width dependent on the channel conductance is given. Experimental results on both measured and synthetic data are provided.
Delft University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Laboratory of Electrical Materials, Mekelweg 4, P. O. Box 5031, 2600 GA DELFT, The Netherlands
Delft University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Laboratory of Electrical Materials, Mekelweg 4, P. O. Box 5031, 2600 GA DELFT, The Netherlands