Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present a novel multi-RC-triggered MOSFET-based power clamp with up to 70% trigger circuit area reduction and improved transient HBM, MM, and CDM ESD clamping performance. A three-stage RC-trigger circuit design gives a 300ns self-shutdown time during power-up for mistrigger leakage current control and an improved mistrigger immunity down to 1µs power-up rise time. TLP and HBM hardware characterization data from a 90nm CMOS technology show ≫5A failure current and ≫3kV HBM robustness for a designed MOSFET width of 4000µm.