Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Interband-transition dipole moment of InAs/InGaAs quantum dots is determined for the first time by the segmented-modal-absorption method. The extracted dipole moment near 1.3_??m wavelength is 32??2 Debye consistent with those reported in the literature.
Department of Electrical Engineering, Graduate Institute of Electronics Engineering, and Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University No.1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 106, Taiwan
Department of Electrical Engineering, Graduate Institute of Electronics Engineering, and Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University No.1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 106, China
Department of Electrical Engineering, Graduate Institute of Electronics Engineering, and Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University No.1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 106, China
Department of Electrical Engineering, Graduate Institute of Electronics Engineering, and Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University No.1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 106, China