Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Scaling of MOS gate oxides below 200? can result in wearout of intrinsic oxides. This paper presents studies of thin gate oxides which show that the time dependent nature of oxide breakdown is due to charge trapping induced by leakage current. Failure occurs when the trapped charge increases the internal electric field in the oxide to a critical value of 11.2 MV/cm needed for avalanche breakdown. By measuring trapping parameters such as trap centroids and generation/recombination rates versus stress fields, a mathematical model for time dependent oxide wearout has been developed.