Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The MESFET controlled active band-pass filter is examined using a semiconductor laser for tuning. The filter is basically end coupled microstrip band-pass filter. The series tank circuit of the filter includes a tuning MESFET. The cover of the MESFET element is removed and the capacitance between the gate and source of the MESFET is controlled either by a gate-to-source bias or by a semiconductor laser illumination. Another MESFET is used in the negative resistance circuit to compensate for the filter loss. The shift of the center frequency is found proportional to the square root of the incident laser power. The saturation of the frequency shift is observed. The saturation is accompanied by an increase of passband-loss. The maximum tuning range of 77 MHz is observed, which is 35% more than the previously reported tuning range.