Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Advantageous Decaborane Ion Implantation for Ultra-shallow Junction of PMOSFETs Compared with Boron Monomer Implantation into Germanium Preamorphized Layer
We report the advantage of the decaborane (B10Hx +) ion implantation for sub-40-nm-gate-length PMOSFETs compared with conventional boron monomer ion implantation into pre-amorphized layer. PMOSFETs with decaborane ion implantation have a 5% higher on-current than those with boron monomer into pre-amorphized layer. In addition, the threshold voltage fluctuation of the PMOSFETs is also smaller. This high performance of the PMOSFETs is caused by high carrier activation of the decaborane ion implanted layer. We speculated that the high carrier activation results from the surface amorphous layer and undamaged crystal substrate with smooth amorphous/crystal interface due to the cracking of decaborane