Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An electroabsorption modulator and an optical amplifier have been monolithically integrated by using nonplanar MOVPE. A bandgap shift of more than 60nm was obtained with atmospheric pressure MOVPE of GaInAs/GaInAsP strained QWs on 10 mu m wide ridges. A chip gain of 9dB and an excitation ratio of 17dB were obtained for the monolithic electroabsorption modulator/amplifier. The integration of an optical amplifier enables the use of a wavelength close to the bandgap of the modulator, resulting in low voltage and low chirp operation.<<ETX>>