Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Pregettering by phosphorus diffusion at temperatures between 800 and 1050 degrees C within the surface is shown to improve the electron diffusion length L/sub n/ in p-type polycrystalline silicon wafers. Provided the temperature is below 950 degrees C it is found that these treatments reduce the dislocation etch pit and the bulk recombination center densities in the material. Consequently, L/sub n/ increases. It is also found that the effect of passivation by hydrogen is drastically enhanced in treated samples. The two treatments are compatible with solar cell preparation techniques and could be applied to improve or to homogenize their efficiency.<<ETX>>