Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In doping and incorporation in the barrier layers of AlGaAs/GaAs double-barrier resonant tunnelling structures (DBRTSs) have been studied. It was found that the peak-to-valley current ratio (PVCR) can be improved by the proper amount of In doping. This is attributed to the improvement in the quality of the AlGaAs barrier layers due to the high surface migration rate of In atoms that reduces group III vacancies. Also pseudomorphic In/sub x/(Al/sub 0.5/Ga/sub 0.5/)/sub 1-x/As/GaAs (x=0.12) strained-layer DBRTSs have been fabricated by incorporating a sufficient amount of In into the AlGaAs barrier layers. PVCRs as high as 27.5 at 77 K have been obtained. This is the first realisation of such DBRTSs with lattice-mismatched quaternary barrier layers.<<ETX>>