Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A complementary III-V heterostructure field effect transistor (CHFET) has been developed which employs a high aluminium mole fraction aluminium gallium arsenide (Al 0.75 GaAs) interfacial layer between the gate metallization and the indium gallium arsenide In 0.25 GaAs channel. This produces a quasi-insulating gate structure which reduces the gate leakage current. Experimental and simulation data have been used to show the potential of the CHFET up to temperatures of 500 °C. Computer modelling has also been used to study the role of the heterostructure component parts, which has revealed the relative importance of each material in the successful operation of high temperature electronic devices and facilitated the prediction of further device improvements.