PZT (54/46) thin films were deposited by r.f. magnetron sputtering followed by a post-annealing treatment on silicon substrates. The crucial role of a Ti adhesion layer on the Ti/Pt bottom electrode is presented. The deposition conditions and the thickness of Ti have dominant effects on the interactions between Ti and Pt during the annealing treatment. The Pt layer, whatever its thickness, did not act as a barrier against Ti-out diffusion. The stability of the bottom electrode was achieved by using a TiO x layer instead of a pure metallic Ti adhesion layer. The electrical properties of PZT films in terms of dielectric and ferroelectric performance were evaluated, particularly as a function of the PZT film thickness.Des films minces de PZT (54/46) ont ete deposes sur des substrats de silicium par pulverisation cathodique r.f. magnetron. Le role de la couche d'accrochage de titane au niveau de l'electrode inferieure Ti/Pt est presente. Les conditions de depot et l'epaisseur de la couche de Ti ont des effets importants sur les interactions entre le titane et le platine durant le traitement thermique du PZT. Le film de platine, quelle que soit son epaisseur ne joue pas le role de couche barriere a la diffusion du titane. La stabilite de l'electrode inferieure est obtenue en remplacant le Ti par TiO x . Les proprietes electriques des films de PZT en termes de performances dielectriques et ferroelectriques sont evaluees. En particulier, nous avons etudie leur dependence avec l'epaisseur des films de PZT.