Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The metal-insulator transition in vanadium dioxide thin films implanted with O + ions was studied. Ion implantation lowered the metal-insulator transition temperature of the VO 2 films by 12 °C compared to the unimplanted ones, as measured both optically and electrically. The lowering of the transition temperature was accomplished without significantly reducing the mid-wave infrared optical transmission in the insulating state for wavelengths >4.3 μm. Raman spectroscopy was used to examine changes to the crystalline structure of the implanted films. The Raman spectra indicate that ion implantation effects are not annealed out for temperatures up to 120 °C.