Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Epitaxial InN layers were deposited on MgAl 2 O 4 (111) substrates by microwave-excited metalorganic vapor-phase epitaxy. The crystallographic orientation relationships between the InN layer and MgAl 2 O 4 (111) were InN (00.1) MgAl 2 O 4 (111) and InN [11.0] MgAl 2 O 4 [100]. The full-width at half-maximum of the X-ray rocking curve of 97arcsec was obtained on MgAl 2 O 4 (111).