Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High-quality boron-doped diamonds were synthesized from four boron-doped carbon sources with different boron concentration using a static high-pressure process with metal solvent. Three diamond pellets obtained from the carbon sources with boron concentrations less than the solubility limit showed a homogeneous appearance and obvious X-ray diffraction patterns characteristic of diamond. The electrically-conducting diamond with 0.2mass% of boron showed the boron-bound exciton peak characteristic of boron doping in the cathode luminescence spectra, indicating its ability as a semiconductor.[TANSO 2013 (No. 257) 95–102]