Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The lattice location of a specific fission product (Cs) implanted into cubic zirconia single crystals was investigated as a function of the atomic concentration by using Rutherford backscattering and channeling (RBS/C) experiments. At low concentration (<0.5 at.%), a significant Cs substitutional fraction (0.5-0.6) is measured in channeling spectra recorded with the analyzing He beam aligned along the three main axes of the cubic crystal. Angular scans performed across the <100> axis indicate the formation of Cs-vacancy complexes. The ZrO 2 single crystals are strongly damaged when the Cs concentration exceeds a few at.% and the Cs atoms are randomly located in the crystalline lattice. This latter result could be due to the precipitation of implanted Cs atoms.