Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The double heterostructure opto-electronic switch equilibrium condition has been formulated in terms of the charge and voltage equations. The dependencies of equilibrium parameters upon variations in doping concentrations in the charge sheet, the barrier layer and the collector layer have been investigated. It is verified under all conditions, that the electron density is much larger than the hole density in the quantum well. The study includes the effects of deionization and free charge in the modulation doping since the small discontinuity values can move the Fermi level close to the conduction band edge.