Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on molecular beam epitaxial growth and structural characterisations of unintentionally-doped InAs/AlSb strained multiple quantum wells grown on GaSb substrates. The crystalline quality and the interface roughness obtained using different cell shutter sequences at the arsenide/antimonide interfaces are compared by high resolution X-ray diffraction and small angle X-ray reflectivity measurements. Optical characterisations by photo-induced absorption spectroscopy are then carried out. A strong e1->e2 p-polarised intersubband absorption is observed in the mid infrared with a narrow broadening factor, revealing the good material quality of the samples.