Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The wetting behaviour of aluminium on basal planes of α-SiC single crystals was investigated between 1000 and 1200 K by the sessile drop technique in high vacuum. The experiments were focused on wetting kinetics to determine the mechanisms controlling the rate of spreading and to identify all the characteristic contact angles formed during an isothermal experiment. Pure Al and Al alloys with silicon, copper and tin were studied. In some experiments SiC substrates covered by a silica layer 10-50 nm thick were used.