Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Porous silicon (PS) thin films of thicknesses between 50 and 120nm were formed by electrochemical etching in HF:C 2 H 5 OH:H 2 O solution. The porous films prepared on n- and p-type Si wafers were characterized by scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The thin porous layers have crystalline silicon skeleton with columnar pores extended perpendicular to the films surface.