Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In order to further enhance the tribological properties of TiN coatings used on mechanical parts, W ion implantation with Metal Vapor Vacuum Arc (MEVVA) source was carried out on PVD TiN coatings at the implantation dose as high as 9 × 10 17 ions/cm 2 . The microstructures of the TiN coatings were investigated by Scanning Auger microprobe (SAM), X-ray diffraction (XRD), and X-ray...
Composites with embedded metal nanoparticles attract much interest due to their unique physical properties, which considerably depend on size and shape of the nanoparticles, and on interparticle distance and dispersity of these parameters. Crystal defects can have an effect on the nucleation of nanoparticles. In this paper, the effect of defects on the nucleation and growth of silver nanoparticles...
Nanometer-thickness SiGe alloy layers were synthesized by direct Si ion implantation in Ge (100) wafers at different fluences followed by high temperature annealing. The cross-sectional transmission electron microscopy and secondary ion mass spectrometry reveal the formation of a thin Si-rich crystalline layer in the near-surface region. The micro-Raman spectroscopy and X-ray reflectivity techniques...
4H-SiC was implanted with He + , B + and Mg + ions over a wide range of ion fluences at 15 K. Damage analysis was performed with Rutherford backscattering spectrometry in channelling configuration. Cross-sections of direct-impact-damage formation and stimulated growth of damage were extracted by fitting model curves to the maximum damage concentration versus the ion fluence...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.