Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The fate of many surface processes is determined by the competition between externally driven dynamics and intrinsic substrate-induced relaxation. In this work, we use the reduced density matrix theory to simulate the dynamics of STM-induced atom transfer between a metal surface and the STM tip, which can be considered as an activated barrier crossing process. Our model describes the vibrational excitation as a result of temporary occupation of a negative ion resonance by a tunnelling electron. The vibrational relaxation due to substrate phonons or electron-hole pairs is characterized in the framework of the Redfield theory. The results are consistent with experimental observations.