Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
W Si N films were deposited by reactive sputtering in a N 2 +Ar atmosphere from a W target incrusted with different number of Si pieces. The coatings present different crystallographic structures from the crystalline α-W and W 2 N to amorphous phase. Crystalline films have very low grain sizes from 15 down to 3nm.For W Si films there is a good correlation between the increase of the hardness and both the increase of lattice parameter and decrease of grain size. However, for N containing films these tendencies are not systematically observed. The homogeneity in the lattice distortion seems to be more adequate to interpret the hardness variation.Generally, crystalline films have higher hardness (35-41GPa) than amorphous coatings (21-31GPa).