Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we present, for the first time, a detailed investigation of the drain current local variability in advanced n-MOS devices from 28 and 14nm FDSOI technology nodes. A simple MOSFET compact model is built to reproduce the local variability Id–Vg characteristics of paired transistors using a Monte Carlo simulation with normally distributed MOSFET parameters (Vth, β and Rsd).
In this work, we investigate the impact of the source - drain series resistance mismatch on the drain current variability in 28nm bulk MOSFETs. For the first time, a mismatch model including the local fluctuations of the threshold voltage (Vt), the drain current gain factor (β) and the source – drain series resistance (RSD) in both linear and saturation regions is presented. Furthermore, it is demonstrated...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.