Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Thin solid holmium titanium oxide films were grown by atomic layer deposition at 300°C on silicon substrates. The precursors used were Ho(thd) 3 , Ti(OCH(CH 3 ) 2 ) 4 and O 3 . The composition of the films was varied via changing the holmium–titanium ratio by variation of relative amounts of the sequential deposition cycles of constituent oxides, i.e. Ho ...
ZrO2 films were grown by atomic layer deposition using ZrCl4 and O3 as precursors. The films were grown on silicon substrates in the temperature range of 220–500°C. The ALD rate was monotonously decreasing from 0.085 to 0.060nm/cycle in this temperature range towards the highest temperatures studied. The content of chlorine in the films did not exceed 0.2at.% as measured by elastic recoil detection...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.