Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Selective deposition of Ni P alloy thin film on p-type silicon was obtained in a hypophosphite-based conventional electroless nickel plating solution at ambient temperature under laser irradiation. Composition and properties of the deposits were investigated using SEM, XPS, AES and RBS techniques. The presence of HF and a sufficient power density are necessary for deposition of a detectable film. Crystalline Ni P alloy deposits are formed and a diffusion of elements at the interface is found. The mechanism involved in the deposition process is also discussed. The Ni P deposits are in Schottky barrier contact with p-type silicon.