Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel cubic Zn 0.7 Mg 0.3 O film on silicon substrate is conducted by KrF excimer pulsed-laser ablation system. By introducing a thin TiN buffer, layer-by-layer growth of cubic Zn 0.7 Mg 0.3 O film epilayer has been realized. The overall growth process was monitored in situ by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) method. It was found that the crystallinity and surface morphology of the Zn 0.7 Mg 0.3 O films were strongly affected by the TiN buffer layer. The Zn 0.7 Mg 0.3 O film obtained at an optimal buffer layer exhibited high quality and good surface. For the metal-insulator-metal (MIM) structure of Pt/Zn 0.7 Mg 0.3 O (200 nm)/TiN (20 nm)/Si (400 μm) prepared at the optimal growth conditions achieved a very low leak current density of ∼10 −6 A cm −2 at an electric field of 9 × 10 5 V cm −1 and the permittivity (ɛ r ) of about 8.1, agreed well with that of acquired MgO film and MgO single crystal.
Department of Material Engineering, Shanghai University of Engineering Science, 333 Longteng Road, Songjiang, Shanghai 201620, People's Republic of China
Department of Material Engineering, Shanghai University of Engineering Science, 333 Longteng Road, Songjiang, Shanghai 201620, People's Republic of China
Department of Material Engineering, Shanghai University of Engineering Science, 333 Longteng Road, Songjiang, Shanghai 201620, People's Republic of China
Department of Material Engineering, Shanghai University of Engineering Science, 333 Longteng Road, Songjiang, Shanghai 201620, People's Republic of China