Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Inductively-coupled-plasma reactive ion etching of AlN was investigated using BCl 3 /Cl 2 /Ar gas chemistry. AlN etch rates were studied as a function of substrate bias voltage (-150 to -400 V), ICP coil power (200-900 W) and chamber pressure (2-10 mT). Using an electroplated Ni mask, up to 50 μm deep AlN structures were etched. This is the first demonstration of deep etching of AlN at high etch rates using inductively-coupled-plasma. The results reported in this study can be used for bulk micro-machining AlN substrates.