Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Particle-induced X-ray emission measurements combined with Rutherford backscattering spectrometry (including channeling) have been used to measure directly the total sulphur coverage for the S-passivated GaAs(100) surface. The ion-induced X-ray measurements show that 1.1 ML (1 ML = 6.26 10 14 cm -2 ) of S is found on GaAs(100) after passivation with (NH 4 ) 2 S, while only 0.55 ML of S is present on the H 2 S x -treated GaAs(100) surface. A clearer picture of the S-covered GaAs(100) surface emerges from a consideration of these data in conjunction with current models encompassing surface dimers.