Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report the characterization of metastable hydrogen-related defects (M3/M4) in n-GaAs by isothermal constant-capacitance-voltage transient spectroscopy (CCVTS). The double-correlation CCVTS spectra measured around 140K clearly shows that the M4 defect consists of two discrete components labeled M4(1) and M4(2), which gives definitive support to the recent report that the M4 defect consists of two different configurations. The electric field dependence of the emission rates indicates that the M3 and M4(1) have a donor-like nature, while the M4(2) is acceptor like.