Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The residual stress in microwave plasma-enhanced CVD diamond film was analyzed using a Raman spectrometer with micrometer spatial resolution. This enables effective study of isolated crystals grown in the same deposition run. A variation of the Raman line shape near 1332 cm -1 was observed from different crystals in the same sample. A phenomenological model was used to describe the shift and splitting of the diamond Raman line, from which the type and the magnitude of the stress in PECVD grown diamond can be assessed. The interrelationship and the origin of the stress in the film is discussed.