Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Optical and structural properties of ion-implanted 6H-SiC single crystals were investigated for samples implanted with 370 keV 28 Si ions to doses ranging from 5x10 13 to 1x10 16 cm -2 and at irradiation temperatures ranging from 20 o C to 600 o C. Rutherford backscattering spectrometry channeling (RBS/C) showed that dynamic recovery of the induced-damage layer increases with temperature. The final disorder determined from RBS/C as a function of implantation temperature was modeled in terms of a thermally activated process which yielded an activation energy of 0.08 eV. RBS/C data on high temperature implantations also suggest that defect complexes are created at high doses in addition to point defects still stable at high temperature. A decrease in Raman intensity of implanted samples relative to that of crystalline samples was observed and correlated with an increase in optical absorption near the wavelength of the laser pump (514.5 nm).